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FFPF15S60S
— STEALTH? II Diode
www.fairchildsemi.com
3
?2007 Fairchild Semiconductor Corporation
FFPF15S60S Rev. C1
Typical Performance Characteristics
Figure 3. Typical Forward Voltage Drop
Figure 4. Typical Reverse Current
vs. Forward Current vs. Reverse Voltage
Figure 5. Typical Junction Capacitance Figure 6. Typical Reverse Recovery Time
vs. di/dt
Figure 7. Typical Reverse Recovery
Figure 8.
Forward Current Derating Curve
Current vs. di/dt
100 200 300 400 500 600
0.01
10
0.1
1
10
100
TC
= 125
oC
TC
= 25
oC
TC
=75
oC
Reverse Current, I
R
[
?
A
]
Reverse Voltage, VR
[V]
0.1
01234
1
10
TC
= 75
oC
TC
= 125
oC
Forward Current, I
F
[A]
Forward Voltage, V
F
[V]
TC
= 25
oC
70
30
0.1 1 10 100
60
90
120
150
180
Typical Capacitance
at 0V = 180 pF
Capacitances, Cj [pF]
Reverse Voltage, VR[V]
20
100 200 300 400 500 600di
F/dt [A/?s]
30
40
50
60
IF
= 15A
TC
= 25
oC
TC
= 75
oC
TC
= 125
oC
Reverse Recovery Time, t
rr
[ns]
0
25 50 75 100 125 150
4
8
12
16
20
Average Forward Current, I
F(AV)
[A]
Case temperature, TC
[oC]
DC
1
100 200 300 400 500 600
2
3
4
5
6
7
TC
= 125
oC
TC
= 25
oC
TC
= 75
oC
Reverse Recovery Current, I
rr
[A]
diF/dt [A/?s]
IF
= 15A
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